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2022-2023学年河北省高一年级下学期5月份联合考试(23-482A)化学试卷答案
以下是该试卷的部分内容或者是答案亦或者啥也没有
15.GaN是研制微电子器件、光电子器件的第三代半导体材料,其晶胞结构如下。已知:GaN、GaP、GaAs的熔点高,且熔融状态均不导电;晶胞参数为acm。下列说法正确的是()A.GaN为离子晶体B.熔点:GaN<GaP<GaAsC.N原子与Ga原子的最短距离为34acD.与N原子相连的Ga原子构成的几何体为正方体
(3)已知反应2NO(g)+2H2(g)N2(g)+2H2O(g)H=-148kJmol^-1,正反应速率方程式可以表示为kc^m(NO)c^n(H2)(kE为正反应速率常数,只与温度有关。m和n为反应级数,取最简单正整数)。为了探究一定温度下NO、H2,的浓度对反应速率的影响,测得实验数据如表所示:1v=kc^m(NO)c^n(H2)中,m=、②经研究,有人提出上述反应分两步进行::a.2NO(g)+H2(g)N2(g)+H2O2(g);b.H2(g)+H2O2(g)-2H2O(g)。、化学总反应由较慢的一步反应决定。上述反应中反应b较快,则反应a的正反应活化能(填“大于”“小于”或“等于”)反应b的正反应活化能。
4.W、>X、Y、Z、M分布于3个短周期,原子序数依次增大,Y原子最外层电子数是电子层数的2倍,Z的最外层电子数是M最外层电子数的2倍,M基态原子的电子占据7个原子轨道,W、X可以形成的化合物为XW。下列说法正确的是A.原子半径M>Z>xB.工业上用热还原法制取M的单质C.简单氢化物热稳定性:z<YD.化合物XW具有强还原性
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